最近几天，国内SiC功率器件龙头企业Pure Semiconductor推出了一款1200 V/14 Mω SiC MOSFET产品——S1 m 014120h，通过了车企和tier1厂商的测试S1M014120H具有业界领先的低导通电阻，静态开关特性和动态开关特性达到国际一流水平可应用于电机控制器，大功率充电模块，光伏逆变器，新能源汽车大功率储能等领域这款SiC MOSFET的推出，填补了国内在该领域技术和产品的空白

1200v/14mωSiC MOSFET晶片采用S1M014120H的1200V/800A功率模块S1M014120H可以工作在更宽的栅极驱动电压范围，满足不同驱动电路的开发需求其最高允许结温为175℃，进一步提高了器件的载流能力，有助于实现更高的功率密度，静态参数达到国际一流水平

同时，Pure Semiconductor与国内领先的功率模块供应商密切合作根据新能源汽车电驱动系统的具体要求，详细表征了国际主流厂商的同规格纯半导体S1M014120H和SiC芯片制造的多芯片并联功率模块在室温和高温下的开关性能

对比国际主流芯片制造的模块测试结果，使用S1M014120H的模块具有波形平滑，高频振荡阻尼效果突出，开关能量低的特点，更适合电机控制器，充电模块等对效率和电磁兼容性要求较高的应用纯半导体推出的S1M014120H在开关波形特性和能量损耗方面，具有世界一流水平的动态性能

纯半导体凭借强大的技术实力，在SiC MOSFET产品的研发和市场应用方面不断取得突破4月，国内首款15V驱动SiC MOSFET量产，8月，国内导通电阻最低的1200v/14mωSiC MOSFET上市目前，不同规格的MOSFET产品已经大规模应用于光伏，电源和OBC领域公司不仅始终瞄准国际技术前沿，而且注重产品质量控制，建立了完整的质量控制体系和可靠性实验室1200V量产SiC MOSFET系列产品已通过AEC—Q101测试，新研发产品的可靠性测试均进展顺利

自中国确立双碳目标以来，中国新能源产业步入跨越式发展阶段，为以碳化硅为代表的第三代半导体产业的爆发提供了宝贵的历史机遇中国拥有世界上最大的电动汽车市场由于碳化硅功率器件可以明显提高新能源汽车的功率密度，能效和续航里程，预计2 ~ 3年内SiC MOSFET将在新能源主驱动中得到广泛应用性能和可靠性可与国际主流产品媲美，可应用于低导通电阻电力主驱动的国产SiC MOSFET芯片将成为行业的迫切需求，市场潜力巨大纯半导体从技术研发，产品量产，品控，产能供应等方面做了全方位的准备，并致力于推动SiC MOSFET的国产化进程，支持中国新能源汽车的快速发展，助力国家双碳战略宏伟目标的实现